質譜儀已被廣泛應用於各個領域,尤其以液相層析串接離子阱質譜儀(LCMS)最為分析人所使用,因具有MSn多次氣體碰撞裂解(collision induced dissociation)的功能,根據碎片質量推測出原始分子離子的結構。離子阱質譜的分析原理是依據Mathieu equation所導出的穩定區圖(stable diagram),由於離子於z軸方向在不穩定區具有質量選擇性拋出的特性,離子阱質譜根據此特性被廣泛使用於分子的質量的量測與結構的鑑定。利用改變固定頻率的振幅,使的z軸方向產生不穩定,而在穩定區的邊界不同荷質比的離子被依序拋出。因為是量測質量因此量測的解析度就被受重視,今日的離子阱質譜都已經採用共振拋出(resonance ejection)的方法來提高解析度,所謂共振拋出是在離子進入離子阱是以環電極(ring electron)上的正弦波電壓與頻率來限制住特定荷質比範圍的離子,此時離子軌跡符合Mathieu equation的參數規範qz小於0.908,若是此時在端蓋板(end cap)加上小電壓的AC,此時離子在離子阱內迴旋頻率與加在end cap上的頻率相同,qz值相同,離子吸收額外的能量增加在z軸方向的振幅,最終振幅大於環電極中心至端蓋板距離Z0,離子被拋出離子阱之外,由於離子阱之有有與離子電性相反的conversion dynode與電子倍增器,離子被具高壓電的金屬板 (conversion dynode)吸引最終撞擊其表面,產生二次電子與二次離子,推向電子倍增器,二次電子與離子撞擊電子倍增器(Electron Multiplier)表面放大訊號,由類比轉數位器(ADC)記錄訊號強度。共振拋出是讓相同荷質比的離子在相同的qz值同時被拋出沒有延遲的問題,造成解析度下降。
今天所要探討的是造成離子阱質譜儀解析度下降的原因,影響解析度的因素有許多,如氣體壓力,氣體分子種類,掃瞄速度,共振拋出,離子阱幾何結構,正弦波頻率及電壓,位能阱深度,表面精度等會影響離子阱的解析度,目前所要討論的是在不穩定拋出(mass-selective instability)的條件下,離子阱幾何結構所產生的高次項電場對非線性離子阱所造成的影響,經由數學運算找出提高解析度的方法。
電場在離子阱內以球型座標表:
